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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor

    Beteiligte:

    Besleaga, C. (Autor:in) / Stan, G. E. (Autor:in) / Pintilie, I. (Autor:in) / Barquinha, P. (Autor:in) / Fortunato, E. (Autor:in) / Martins, R. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 379 ; 270-276

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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