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    Titel:

    Effect of thickness of Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 gate insulator on performance of ZnO based thin film transistors

    Beteiligte:

    Ye, W. (Autor:in) / Deng, J. (Autor:in) / Wang, X. (Autor:in) / Cui, L. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 390 ; 831-837

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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