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    Titel:

    Effect of gate insulator thickness on device performance of InGaZnO thin-film transistors

    Beteiligte:

    Ding, Xingwei (Autor:in) / Zhang, Jianhua (Autor:in) / Shi, Weimin (Autor:in) / Ding, He (Autor:in) / Zhang, Hao (Autor:in) / Li, Jun (Autor:in) / Jiang, Xueyin (Autor:in) / Zhang, Zhilin (Autor:in) / Fu, Chaoying (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 29 ; 326-330

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2015

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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