Design analysis of polarization-doped N-face InGaN/GaN light-emitting diodes with different AlxGa1−xN graded layers: Fid-Bau Portal

Design analysis of polarization-doped N-face InGaN/GaN light-emitting diodes with different AlxGa1−xN graded layers

Yang, G.F. / Tong, Y.Y. / Xie, F. / Yan, D.W. / Wang, F.X.

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Titel:

Design analysis of polarization-doped N-face InGaN/GaN light-emitting diodes with different AlxGa1−xN graded layers

Beteiligte:

Yang, G.F. (Autor:in) / Tong, Y.Y. (Autor:in) / Xie, F. (Autor:in) / Yan, D.W. (Autor:in) / Wang, F.X. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 29 ; 362-366

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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