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    Titel:

    Al passivation effect at the HfO2/GaAs interface: A first-principles study

    Beteiligte:

    Cai, Genwang (Autor:in) / Sun, Qiang (Autor:in) / Jia, Yu (Autor:in) / Liang, Erjun (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 41 ; 1-5

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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