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    Titel:

    Origin of HfO2/GaAs interface states and interface passivation: A first principles study

    Beteiligte:

    Wang, W. (Autor:in) / Xiong, K. (Autor:in) / Lee, G. (Autor:in) / Huang, M. (Autor:in) / Wallace, R. M. (Autor:in) / Cho, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 6569-6573

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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