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    Titel:

    III–V nanocrystal formation in ion-implanted Ge and Si via liquid phase epitaxy during short-time flash lamp annealing

    Beteiligte:

    Wutzler, Rene (Autor:in) / Rebohle, Lars (Autor:in) / Prucnal, Slawomir (Autor:in) / Hübner, René (Autor:in) / Facsko, Stefan (Autor:in) / Böttger, Roman (Autor:in) / Helm, Manfred (Autor:in) / Skorupa, Wolfgang (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 42 ; 166-169

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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