First-principles investigation of defects at GaAs/oxide interfaces: Fid-Bau Portal

First-principles investigation of defects at GaAs/oxide interfaces

Houssa, M. / Iordanidou, K. / Afanas’ev, V.V. / Stesmans, A.

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Titel:

First-principles investigation of defects at GaAs/oxide interfaces

Beteiligte:

Houssa, M. (Autor:in) / Iordanidou, K. (Autor:in) / Afanas’ev, V.V. (Autor:in) / Stesmans, A. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 42 ; 239-241

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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