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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Device characteristics of amorphous indium-gallium-zinc-oxide channel capped with silicon oxide passivation layers

    Beteiligte:

    Jang, Geon (Autor:in) / Lee, Su Jeong (Autor:in) / Kim, Yun Cheol (Autor:in) / Lee, Sang Hoon (Autor:in) / Biswas, Pranab (Autor:in) / Lee, Woong (Autor:in) / Myoung, Jae-Min (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 49 ; 34-39

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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