Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Process limitation for p-type CuSbS2 semiconductor with high electrical mobility of 20cm2V−1s−1

    Neue Suche nach: Wubet, Walelign
    Neue Suche nach: Kuo, Dong-Hau

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Process limitation for p-type CuSbS2 semiconductor with high electrical mobility of 20cm2V−1s−1

    Neue Suche nach: Wubet, Walelign
    Neue Suche nach: Kuo, Dong-Hau

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Process limitation for p-type CuSbS2 semiconductor with high electrical mobility of 20cm2V−1s−1

    Neue Suche nach: Wubet, Walelign
    Neue Suche nach: Kuo, Dong-Hau

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Process limitation for p-type CuSbS2 semiconductor with high electrical mobility of 20cm2V−1s−1

    Beteiligte:

    Wubet, Walelign (Autor:in) / Kuo, Dong-Hau (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials research bulletin ; 53 ; 290-294

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0025-5408

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Process limitation for p-type CuSbS"2 semiconductor with high electrical mobility of 20cm^2V^-^1s^-^1

    Wubet, W. / Kuo, D. H. | British Library Online Contents | 2014

    Solution-processed CuSbS2 solar cells based on metal–organic molecular solution precursors

    Xu, Y. / Ye, Q. / Chen, W. et al. | British Library Online Contents | 2018

    Orthorhombic CuSbS2 nanobricks: Synthesis and its photo responsive behaviour

    Sivagami, A.D. / Biswas, Krishnendu / Sarma, Arun | British Library Online Contents | 2018

    MOBILITY LIMITATION MEANS

    SILNIKOV MIKHAIL VLADIMIROVICH / SILNIKOV NIKITA MIKHAJLOVICH | Europäisches Patentamt | 2019

    Freier Zugriff

    MOBILITY LIMITATION DEVICE AND CONSTRUCTION METHOD OF MOBILITY LIMITATION DEVICE

    NOZAWA SHINICHIRO / YAMADA MASATO / YAMAGUCHI SHIN et al. | Europäisches Patentamt | 2015

    Freier Zugriff
    Nach oben