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    Titel:

    Epitaxial growth of α-Ga2O3 thin films on a-, m-, and r-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using α-Fe2O3 buffer layers

    Beteiligte:

    Nishinaka, Hiroyuki (Autor:in) / Tahara, Daisuke (Autor:in) / Morimoto, Shota (Autor:in) / Yoshimoto, Masahiro (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS LETTERS ; 205 ; 28-31

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0167-577X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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