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    Titel:

    Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks

    Beteiligte:

    Kanashima, T. (Autor:in) / Yamashiro, R. (Autor:in) / Zenitaka, M. (Autor:in) / Yamamoto, K. (Autor:in) / Wang, D. (Autor:in) / Tadano, J. (Autor:in) / Yamada, S. (Autor:in) / Nohira, H. (Autor:in) / Nakashima, H. (Autor:in) / Hamaya, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 70 ; 260-264

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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