Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped amorphous SiO2 films as gate dielectric material: Fid-Bau Portal

Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped amorphous SiO2 films as gate dielectric material

Shi, L. / Yuan, Y. / Liang, X. F. / Xia, Y. D. / Yin, J. / Liu, Z. G.

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Titel:

Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped amorphous SiO2 films as gate dielectric material

Beteiligte:

Shi, L. (Autor:in) / Yuan, Y. (Autor:in) / Liang, X. F. (Autor:in) / Xia, Y. D. (Autor:in) / Yin, J. (Autor:in) / Liu, Z. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 3731-3735

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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