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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Bipolar resistive switching properties of AlN films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition

    Beteiligte:

    Zhang, Jian (Autor:in) / Zhang, Qilong (Autor:in) / Yang, Hui (Autor:in) / Wu, Huayu (Autor:in) / Zhou, Juehui (Autor:in) / Hu, Liang (Autor:in)

    Erschienen in:

    Applied surface science ; 315 ; 110-115

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.44

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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