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    Titel:

    Annealing effects on properties of Ga2O3 films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition

    Beteiligte:

    Shi, Fengfeng (Autor:in) / Han, Jun (Autor:in) / Xing, Yanhui (Autor:in) / Li, Junshuai (Autor:in) / Zhang, Li (Autor:in) / He, Tao (Autor:in) / Li, Tao (Autor:in) / Deng, Xuguang (Autor:in) / Zhang, Xiaodong (Autor:in) / Zhang, Baoshun (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS LETTERS ; 237 ; 105-108

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2019

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0167-577X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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