Highly uniform switching of HfO2−x based RRAM achieved through Ar plasma treatment for low power and multilevel storage: Fid-Bau Portal

Highly uniform switching of HfO2−x based RRAM achieved through Ar plasma treatment for low power and multilevel storage

Qi, Meng / Tao, Ye / Wang, Zhongqiang / Xu, Haiyang / Zhao, Xiaoning / Liu, Weizhen / Ma, Jiangang / Liu, Yichun

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Titel:

Highly uniform switching of HfO2−x based RRAM achieved through Ar plasma treatment for low power and multilevel storage

Beteiligte:

Qi, Meng (Autor:in) / Tao, Ye (Autor:in) / Wang, Zhongqiang (Autor:in) / Xu, Haiyang (Autor:in) / Zhao, Xiaoning (Autor:in) / Liu, Weizhen (Autor:in) / Ma, Jiangang (Autor:in) / Liu, Yichun (Autor:in)

Erschienen in:

Applied surface science ; 458 ; 216-221

Erscheinungsdatum:

01.01.2018

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.44

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