The electronic structure peculiarities of a strained silicon layer in silicon-on-insulator: Experimental and theoretical data: Fid-Bau Portal

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The electronic structure peculiarities of a strained silicon layer in silicon-on-insulator: Experimental and theoretical data

Terekhov, V.A. / Nesterov, D.N. / Domashevskaya, E.P. / Geraskina, E.V. / Manyakin, M.D. / Kurganskii, S.I. / Kamayev, G.N. / Antonenko, A.H. / Turishchev, S.Yu.

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Terekhov, V.A. / Nesterov, D.N. / Domashevskaya, E.P. / Geraskina, E.V. / Manyakin, M.D. / Kurganskii, S.I. / Kamayev, G.N. / Antonenko, A.H. / Turishchev, S.Yu.

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Titel:

The electronic structure peculiarities of a strained silicon layer in silicon-on-insulator: Experimental and theoretical data

Beteiligte:

Terekhov, V.A. (Autor:in) / Nesterov, D.N. (Autor:in) / Domashevskaya, E.P. (Autor:in) / Geraskina, E.V. (Autor:in) / Manyakin, M.D. (Autor:in) / Kurganskii, S.I. (Autor:in) / Kamayev, G.N. (Autor:in) / Antonenko, A.H. (Autor:in) / Turishchev, S.Yu. (Autor:in)

Erschienen in:

Applied surface science ; 382 ; 331-335

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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