Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    GaN metal-oxide-semiconductor devices with ZrO2 as dielectric layers

    Neue Suche nach: Zhang, Guozhen
    Neue Suche nach: Zheng, Meijuan
    Neue Suche nach: Wan, Jiaxian
    Neue Suche nach: Wu, Hao
    Neue Suche nach: Liu, Chang

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    GaN metal-oxide-semiconductor devices with ZrO2 as dielectric layers

    Neue Suche nach: Zhang, Guozhen
    Neue Suche nach: Zheng, Meijuan
    Neue Suche nach: Wan, Jiaxian
    Neue Suche nach: Wu, Hao
    Neue Suche nach: Liu, Chang

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    GaN metal-oxide-semiconductor devices with ZrO2 as dielectric layers

    Neue Suche nach: Zhang, Guozhen
    Neue Suche nach: Zheng, Meijuan
    Neue Suche nach: Wan, Jiaxian
    Neue Suche nach: Wu, Hao
    Neue Suche nach: Liu, Chang

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    GaN metal-oxide-semiconductor devices with ZrO2 as dielectric layers

    Beteiligte:

    Zhang, Guozhen (Autor:in) / Zheng, Meijuan (Autor:in) / Wan, Jiaxian (Autor:in) / Wu, Hao (Autor:in) / Liu, Chang (Autor:in)

    Erschienen in:

    Applied surface science ; 469 ; 98-102

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2019

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.44

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Material selection methodology for gate dielectric material in metal–oxide–semiconductor devices

    Aditya, B.N. / Gupta, Navneet | Elsevier | 2011

    Material selection methodology for gate dielectric material in metal-oxide-semiconductor devices

    Aditya, B.N. / Gupta, N. | British Library Online Contents | 2012

    Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Devices Composed of Biomimetically Synthesized TiO~2 Dielectric Thin Films

    Wang, D. / Masuda, Y. / Seo, W.-S. et al. | British Library Online Contents | 2002

    Characterisation of ZrO2 layers deposited on Al2O3 coating

    Jakovljevic, S. / Hendrix, W. / Havermans, D. et al. | British Library Online Contents | 2009

    Structural, Electrical and Dielectric Properties of DC Reactive Magnetron Sputtered ZrO~2 Films for Metal-Oxide-Semiconductor Devices

    Kondaiah, P. / Uthanna, S. | British Library Online Contents | 2014

    Nach oben