Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

Muziol, G. / Siekacz, M. / Nowakowski-Szkudlarek, K. / Hajdel, M. / Smalc-Koziorowska, J. / Feduniewicz-Żmuda, A. / Grzanka, E. / Wolny, P. / Turski, H. / Wiśniewski, P. / ... [mehr]

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Titel:

Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Muziol, G. (Autor:in) / Siekacz, M. (Autor:in) / Nowakowski-Szkudlarek, K. (Autor:in) / Hajdel, M. (Autor:in) / Smalc-Koziorowska, J. (Autor:in) / Feduniewicz-Żmuda, A. (Autor:in) / Grzanka, E. (Autor:in) / Wolny, P. (Autor:in) / Turski, H. (Autor:in) / Wiśniewski, P. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 91 ; 387-391

Erscheinungsdatum:

01.01.2019

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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