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    Titel:

    Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures

    Beteiligte:

    Ťapajna, M. (Autor:in) / Drobný, J. (Autor:in) / Gucmann, F. (Autor:in) / Hušeková, K. (Autor:in) / Gregušová, D. (Autor:in) / Hashizume, T. (Autor:in) / Kuzmík, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 91 ; 356-361

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2019

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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