Corrigendum to "Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures" [Materials Science in Semiconductor Processing 91 (2019) 356

Corrigendum to "Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures" [Materials Science in Semiconductor Processing 91 (2019) 356–361]

Ťapajna, M. / Drobný, J. / Gucmann, F. / Hušeková, K. / Gregušová, D. / Hashizume, T. / Kuzmík, J.

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Beteiligte:

Ťapajna, M. (Autor:in) / Drobný, J. (Autor:in) / Gucmann, F. (Autor:in) / Hušeková, K. (Autor:in) / Gregušová, D. (Autor:in) / Hashizume, T. (Autor:in) / Kuzmík, J. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 93 ; 381

Erscheinungsdatum:

01.01.2019

Format / Umfang:

381 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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