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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Subthreshold modeling of nanoscale germanium-tin (GeSn)-on-insulator MOSFETs including quantum effects

    Beteiligte:

    Paul, Jayanti (Autor:in) / Mondal, Chandrima (Autor:in) / Biswas, Abhijit (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 94 ; 128-135

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2019

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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