Formation of F6V2 complexes in F-implanted Ge determined by x-ray absorption near edge structure spectroscopy: Fid-Bau Portal

Formation of F6V2 complexes in F-implanted Ge determined by x-ray absorption near edge structure spectroscopy

Sanson, A. / El Mubarek, H.A.W. / Gandy, A.S. / De Salvador, D. / Napolitani, E. / Carnera, A.

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Titel:

Formation of F6V2 complexes in F-implanted Ge determined by x-ray absorption near edge structure spectroscopy

Beteiligte:

Sanson, A. (Autor:in) / El Mubarek, H.A.W. (Autor:in) / Gandy, A.S. (Autor:in) / De Salvador, D. (Autor:in) / Napolitani, E. (Autor:in) / Carnera, A. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 62 ; 205-208

Erscheinungsdatum:

01.01.2017

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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