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Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
Siliciumnitrid-Pulver mit einem β-Teilchen-Anteil von 30–100%, einem Sauerstoffgehalt von 0,5 Gew.-% oder weniger, einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,2–10 μm und einem Seitenverhältnis von 10 oder weniger, wobei die β-Teilchen parallele Rillen in den Kristallkörnern parallel zu ihrer Längsrichtung aufweisen.
Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
Siliciumnitrid-Pulver mit einem β-Teilchen-Anteil von 30–100%, einem Sauerstoffgehalt von 0,5 Gew.-% oder weniger, einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,2–10 μm und einem Seitenverhältnis von 10 oder weniger, wobei die β-Teilchen parallele Rillen in den Kristallkörnern parallel zu ihrer Längsrichtung aufweisen.
Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
IMAMURA HISAYUKI (Autor:in) / HAMAYOSHI SHIGEYUKI (Autor:in) / KAWATA TSUNEHIRO (Autor:in) / SOBUE MASAHISA (Autor:in)
13.05.2015
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
Europäisches Patentamt | 2015
|Europäisches Patentamt | 2024
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