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Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
Siliciumnitrid-Pulver mit einem β-Teilchen-Anteil von 30–100%, einem Sauerstoffgehalt von 0,5 Gew.-% oder weniger, einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,2–10 μm und einem Seitenverhältnis von 10 oder weniger, wobei die β-Teilchen parallele Rillen in den Kristallkörnern parallel zu ihrer Längsrichtung aufweisen.
Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
Siliciumnitrid-Pulver mit einem β-Teilchen-Anteil von 30–100%, einem Sauerstoffgehalt von 0,5 Gew.-% oder weniger, einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,2–10 μm und einem Seitenverhältnis von 10 oder weniger, wobei die β-Teilchen parallele Rillen in den Kristallkörnern parallel zu ihrer Längsrichtung aufweisen.
Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
IMAMURA HISAYUKI (author) / HAMAYOSHI SHIGEYUKI (author) / KAWATA TSUNEHIRO (author) / SOBUE MASAHISA (author)
2015-05-13
Patent
Electronic Resource
German
Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
European Patent Office | 2015
|European Patent Office | 2024
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