Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
Substrat aus einem Siliciumnitrid-Sinterkörper, für eine Leiterplatte, das im Wesentlichen aus Siliciumnitrid-Körnern und Korngrenzen besteht, wobei der Sinterkörper eine Oberflächentextur mit einer durchschnittlichen Mittellinien-Oberflächenrauigkeit Ra von 0,2–5 μm aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngrenzen auf der Oberfläche abgestrahlt sind, wobei der Flächenanteil der Siliciumnitrid-Körner 70% oder mehr des gesamten Flächenanteils der Siliciumnitrid-Körner und Korngrenzen beträgt, und der Abstand L zwischen dem höchsten Gipfel von auf einer Oberfläche freiliegenden Siliciumnitrid-Körnern und dem tiefsten Boden von Siliciumnitrid-Körnern oder Korngrenzen 1,5–15 μm beträgt.
Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
Substrat aus einem Siliciumnitrid-Sinterkörper, für eine Leiterplatte, das im Wesentlichen aus Siliciumnitrid-Körnern und Korngrenzen besteht, wobei der Sinterkörper eine Oberflächentextur mit einer durchschnittlichen Mittellinien-Oberflächenrauigkeit Ra von 0,2–5 μm aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngrenzen auf der Oberfläche abgestrahlt sind, wobei der Flächenanteil der Siliciumnitrid-Körner 70% oder mehr des gesamten Flächenanteils der Siliciumnitrid-Körner und Korngrenzen beträgt, und der Abstand L zwischen dem höchsten Gipfel von auf einer Oberfläche freiliegenden Siliciumnitrid-Körnern und dem tiefsten Boden von Siliciumnitrid-Körnern oder Korngrenzen 1,5–15 μm beträgt.
Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
HAMAYOSHI SHIGEYUKI (Autor:in) / SOBUE MASAHISA (Autor:in) / IMAMURA HISAYUKI (Autor:in) / KAWATA TSUNEHIRO (Autor:in)
18.06.2015
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
| Europäisches Patentamt | 2015
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