A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
Substrat aus einem Siliciumnitrid-Sinterkörper, für eine Leiterplatte, das im Wesentlichen aus Siliciumnitrid-Körnern und Korngrenzen besteht, wobei der Sinterkörper eine Oberflächentextur mit einer durchschnittlichen Mittellinien-Oberflächenrauigkeit Ra von 0,2–5 μm aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngrenzen auf der Oberfläche abgestrahlt sind, wobei der Flächenanteil der Siliciumnitrid-Körner 70% oder mehr des gesamten Flächenanteils der Siliciumnitrid-Körner und Korngrenzen beträgt, und der Abstand L zwischen dem höchsten Gipfel von auf einer Oberfläche freiliegenden Siliciumnitrid-Körnern und dem tiefsten Boden von Siliciumnitrid-Körnern oder Korngrenzen 1,5–15 μm beträgt.
Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
Substrat aus einem Siliciumnitrid-Sinterkörper, für eine Leiterplatte, das im Wesentlichen aus Siliciumnitrid-Körnern und Korngrenzen besteht, wobei der Sinterkörper eine Oberflächentextur mit einer durchschnittlichen Mittellinien-Oberflächenrauigkeit Ra von 0,2–5 μm aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngrenzen auf der Oberfläche abgestrahlt sind, wobei der Flächenanteil der Siliciumnitrid-Körner 70% oder mehr des gesamten Flächenanteils der Siliciumnitrid-Körner und Korngrenzen beträgt, und der Abstand L zwischen dem höchsten Gipfel von auf einer Oberfläche freiliegenden Siliciumnitrid-Körnern und dem tiefsten Boden von Siliciumnitrid-Körnern oder Korngrenzen 1,5–15 μm beträgt.
Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte
HAMAYOSHI SHIGEYUKI (author) / SOBUE MASAHISA (author) / IMAMURA HISAYUKI (author) / KAWATA TSUNEHIRO (author)
2015-06-18
Patent
Electronic Resource
German
Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2024