Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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POWER MODULE SUBSTRATE, POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK, POWER MODULE, METHOD FOR MANUFACTURING POWER MODULE SUBSTRATE, AND PASTE FOR BONDING COPPER MEMBER
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power module substrate that comprises a ceramic substrate and a copper plate made of copper or a copper alloy bonded to the ceramic substrate, and that can suppress generation of cracks in the ceramic substrate during application of a cooling-heating cycle.SOLUTION: The power module substrate includes a copper plate 12 made of copper or a copper alloy laminated and bonded to a surface of a ceramic substrate 11, in which the ceramic substrate and the copper plate are bonded to each other by laminating the ceramic substrate and the copper plate via a layer of Ag and a nitride-forming element, and heating while pressurizing the laminated ceramic substrate and the copper plate at 1 to 35 kgf/cmin the laminating direction. A nitride layer 31 is formed on the surface of the ceramic substrate 11 between the copper plate 12 and the ceramic substrate 11; an Ag-Cu eutectic structure layer 32 is formed as laminated on the nitride layer 31; and the Ag-Cu eutectic structure layer 32 has a thickness of 14 μm or less.
【課題】セラミックス基板に銅または銅合金からなる銅板が接合されてなり、冷熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板１１の表面に銅または銅合金からなる銅板１２が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、Ａｇ及び窒化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板とを積層し、積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に１〜３５ｋｇｆ／ｃｍ２で加圧するとともに加熱して、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合されており、銅板１２とセラミックス基板１１との間において、セラミックス基板１１の表面に窒化物層３１が形成されているとともに、窒化物層３１に積層するようにＡｇ−Ｃｕ共晶組織層３２が形成され、Ａｇ−Ｃｕ共晶組織層３２の厚さが１４μｍ以下とされている。【選択図】図２
POWER MODULE SUBSTRATE, POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK, POWER MODULE, METHOD FOR MANUFACTURING POWER MODULE SUBSTRATE, AND PASTE FOR BONDING COPPER MEMBER
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power module substrate that comprises a ceramic substrate and a copper plate made of copper or a copper alloy bonded to the ceramic substrate, and that can suppress generation of cracks in the ceramic substrate during application of a cooling-heating cycle.SOLUTION: The power module substrate includes a copper plate 12 made of copper or a copper alloy laminated and bonded to a surface of a ceramic substrate 11, in which the ceramic substrate and the copper plate are bonded to each other by laminating the ceramic substrate and the copper plate via a layer of Ag and a nitride-forming element, and heating while pressurizing the laminated ceramic substrate and the copper plate at 1 to 35 kgf/cmin the laminating direction. A nitride layer 31 is formed on the surface of the ceramic substrate 11 between the copper plate 12 and the ceramic substrate 11; an Ag-Cu eutectic structure layer 32 is formed as laminated on the nitride layer 31; and the Ag-Cu eutectic structure layer 32 has a thickness of 14 μm or less.
【課題】セラミックス基板に銅または銅合金からなる銅板が接合されてなり、冷熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板１１の表面に銅または銅合金からなる銅板１２が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、Ａｇ及び窒化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板とを積層し、積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に１〜３５ｋｇｆ／ｃｍ２で加圧するとともに加熱して、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合されており、銅板１２とセラミックス基板１１との間において、セラミックス基板１１の表面に窒化物層３１が形成されているとともに、窒化物層３１に積層するようにＡｇ−Ｃｕ共晶組織層３２が形成され、Ａｇ−Ｃｕ共晶組織層３２の厚さが１４μｍ以下とされている。【選択図】図２
POWER MODULE SUBSTRATE, POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK, POWER MODULE, METHOD FOR MANUFACTURING POWER MODULE SUBSTRATE, AND PASTE FOR BONDING COPPER MEMBER
パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法、並びに、銅部材接合用ペースト
TERASAKI NOBUYUKI (Autor:in) / NAGATOMO YOSHIYUKI (Autor:in) / NISHIKAWA MASATO (Autor:in) / KUROMITSU YOSHIO (Autor:in)
15.10.2015
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2019
| Europäisches Patentamt | 2017
| Europäisches Patentamt | 2016
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POWER MODULE SUBSTRATE, POWER MODULE SUBSTRATE WITH HEAT SINK, AND POWER MODULE
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