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CONDUCTIVE OXIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide conductive oxide capable of providing an oxide semiconductor film having low cost, suitably used as a target of sputtering and having high physical properties, a manufacturing method therefor and the oxide semiconductor film.SOLUTION: Conductive oxide contains O and at least one kind of element M selected from a group consisting of In, Al, Zn and Mg and crystalline AlZnOas crystalline AlMOand further at least one kind of crystalline selected from a group consisting of crystalline InAlZnO(0≤m<1, 0≤q<1 and 0≤p≤3 m+q) and crystalline InO.SELECTED DRAWING: None
【課題】安価でかつスパッタリングのターゲットに好適に用いられて高物性の酸化物半導体膜が得られる導電性酸化物およびその製造方法ならびに酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】導電性酸化物は、Inと、Alと、ZnおよびMgからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素であるMと、Oと、を含み、かつ、結晶質Al2MO4として結晶質Al2ZnO4を含み、結晶質In2Al2(1-m)Zn1-qO7-p(0≦m<1、0≦q<1、0≦p≦3m+q)および結晶質In2O3からなる群から選ばれる少なくとも1種類の結晶質をさらに含む。【選択図】なし
CONDUCTIVE OXIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide conductive oxide capable of providing an oxide semiconductor film having low cost, suitably used as a target of sputtering and having high physical properties, a manufacturing method therefor and the oxide semiconductor film.SOLUTION: Conductive oxide contains O and at least one kind of element M selected from a group consisting of In, Al, Zn and Mg and crystalline AlZnOas crystalline AlMOand further at least one kind of crystalline selected from a group consisting of crystalline InAlZnO(0≤m<1, 0≤q<1 and 0≤p≤3 m+q) and crystalline InO.SELECTED DRAWING: None
【課題】安価でかつスパッタリングのターゲットに好適に用いられて高物性の酸化物半導体膜が得られる導電性酸化物およびその製造方法ならびに酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】導電性酸化物は、Inと、Alと、ZnおよびMgからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素であるMと、Oと、を含み、かつ、結晶質Al2MO4として結晶質Al2ZnO4を含み、結晶質In2Al2(1-m)Zn1-qO7-p(0≦m<1、0≦q<1、0≦p≦3m+q)および結晶質In2O3からなる群から選ばれる少なくとも1種類の結晶質をさらに含む。【選択図】なし
CONDUCTIVE OXIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
導電性酸化物およびその製造方法ならびに酸化物半導体膜
MIYANAGA YOSHINORI (Autor:in) / SOGABE KOICHI (Autor:in) / AWATA HIDEAKI (Autor:in) / OKADA HIROSHI (Autor:in) / YOSHIMURA MASASHI (Autor:in)
25.08.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Europäisches Patentamt | 2018
Europäisches Patentamt | 2015
|Europäisches Patentamt | 2015
|Europäisches Patentamt | 2019
|ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE AND METHOD FOR PRODUCING SAME AND OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
Europäisches Patentamt | 2019