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SINTERED COMPOSITE OXIDE MANUFACTURING METHOD THEREFOR SPUTTERING TARGET TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
주로 아연, 알루미늄, 티타늄 및 산소로 구성되는 복합 산화물 소결체(2)로서, 원소의 원자비가, 하기 식 [1] 내지 [3]을 충족시키며, 주성분으로서 산화아연을 함유하고 평균 입자 직경이 20㎛ 이하인 육방정계 우르츠형 구조를 지니는 입자, 그리고 알루미늄 및 티타늄을 함유하고 평균 입자 직경이 5㎛ 이하인 ZnTiO형 유사 구조 및/또는 ZnTiO형 유사 구조를 지니는 입자로 이루어지고, 아연과 알루미늄이 고용된 알루미늄산 아연의 스피넬 산화물 구조를 지니는 입자를 함유하지 않는, 복합 산화물 소결체(2) 및 그 제조방법이다: (Al+Ti)/(Zn+Al+Ti) = 0.004 내지 0.055 [1] Al/(Zn+Al+Ti) = 0.002 내지 0.025 [2] Ti/(Zn+Al+Ti) = 0.002 내지 0.048 [3] 상기 식 중, Al, Ti, Zn은 각각 알루미늄, 티타늄 및 아연의 함유량(원자%)을 나타낸다.
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주로 아연, 알루미늄, 티타늄 및 산소로 구성되는 복합 산화물 소결체(2)로서, 원소의 원자비가, 하기 식 [1] 내지 [3]을 충족시키며, 주성분으로서 산화아연을 함유하고 평균 입자 직경이 20㎛ 이하인 육방정계 우르츠형 구조를 지니는 입자, 그리고 알루미늄 및 티타늄을 함유하고 평균 입자 직경이 5㎛ 이하인 ZnTiO형 유사 구조 및/또는 ZnTiO형 유사 구조를 지니는 입자로 이루어지고, 아연과 알루미늄이 고용된 알루미늄산 아연의 스피넬 산화물 구조를 지니는 입자를 함유하지 않는, 복합 산화물 소결체(2) 및 그 제조방법이다: (Al+Ti)/(Zn+Al+Ti) = 0.004 내지 0.055 [1] Al/(Zn+Al+Ti) = 0.002 내지 0.025 [2] Ti/(Zn+Al+Ti) = 0.002 내지 0.048 [3] 상기 식 중, Al, Ti, Zn은 각각 알루미늄, 티타늄 및 아연의 함유량(원자%)을 나타낸다.
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복합 산화물 소결체 및 그 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 산화물 투명 도전막 및 그 제조방법
18.05.2018
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Europäisches Patentamt | 2015
|Europäisches Patentamt | 2019
|OXIDE-SINTERED-BODY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Europäisches Patentamt | 2017
|OXIDE SINTERED BODY, PRODUCTION METHOD THEREFOR, TARGET, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Europäisches Patentamt | 2015
|OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Europäisches Patentamt | 2017
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