Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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MANUFACTURING METHOD OF S12A7 ELECTRIDE COMPOUND AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM OF S12A7 ELECTRIDE COMPOUND
PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture an S12A7 electride compound wit simple processes.SOLUTION: There is provided a manufacturing method of an S12A7 electride compound containing a halogen ion in a cage including (1) a process for preparing a raw materials which contains an aluminum source, a halogen source containing first halogen and a strontium source, (2) a process for heat treating the raw materials and synthesizing a compound having the cage including ion of the first halogen and (3) a process of reduction heat treating the synthesized compound at a temperature in a range of 1150°C to 1530°C under reductive atmosphere.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】簡単なプロセスで、Ｓ１２Ａ７エレクトライド化合物を製造する。【解決手段】ケージ内にハロゲンイオンを含むＳ１２Ａ７エレクトライド化合物の製造方法であって、（１）原料を準備する工程であって、前記原料は、アルミニウム源、第１のハロゲンを含むハロゲン源、およびストロンチウム源を含む、工程と、（２）前記原料を熱処理して、ケージを有する化合物を合成する工程であって、前記ケージには、前記第１のハロゲンのイオンが内包される工程と、（３）還元性雰囲気下、１１５０℃〜１５３０℃の範囲の温度で、前記合成された化合物を還元熱処理する工程と、を含む、製造方法【選択図】図１
MANUFACTURING METHOD OF S12A7 ELECTRIDE COMPOUND AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM OF S12A7 ELECTRIDE COMPOUND
PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture an S12A7 electride compound wit simple processes.SOLUTION: There is provided a manufacturing method of an S12A7 electride compound containing a halogen ion in a cage including (1) a process for preparing a raw materials which contains an aluminum source, a halogen source containing first halogen and a strontium source, (2) a process for heat treating the raw materials and synthesizing a compound having the cage including ion of the first halogen and (3) a process of reduction heat treating the synthesized compound at a temperature in a range of 1150°C to 1530°C under reductive atmosphere.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】簡単なプロセスで、Ｓ１２Ａ７エレクトライド化合物を製造する。【解決手段】ケージ内にハロゲンイオンを含むＳ１２Ａ７エレクトライド化合物の製造方法であって、（１）原料を準備する工程であって、前記原料は、アルミニウム源、第１のハロゲンを含むハロゲン源、およびストロンチウム源を含む、工程と、（２）前記原料を熱処理して、ケージを有する化合物を合成する工程であって、前記ケージには、前記第１のハロゲンのイオンが内包される工程と、（３）還元性雰囲気下、１１５０℃〜１５３０℃の範囲の温度で、前記合成された化合物を還元熱処理する工程と、を含む、製造方法【選択図】図１
MANUFACTURING METHOD OF S12A7 ELECTRIDE COMPOUND AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM OF S12A7 ELECTRIDE COMPOUND
Ｓ１２Ａ７エレクトライド化合物の製造方法、およびＳ１２Ａ７エレクトライド化合物の薄膜の製造方法
ITO KAZUHIRO (Autor:in) / WATANABE TOSHINARI (Autor:in) / WATANABE AKIRA (Autor:in) / MIYAGAWA NAOMICHI (Autor:in)
05.09.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
METHOD OF MANUFACTURING S12A7 ELECTRIDE COMPOUND, AND S12A7 ELECTRIDE COMPOUND SINTERED BODY
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METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIDE-FORM MAYENITE COMPOUND
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C12A7 electride thin film fabrication method and C12A7 electride thin film
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PRODUCTION METHOD FOR C12A7 ELECTRIDE THIN FILM, AND C12A7 ELECTRIDE THIN FILM
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