Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body capable of suppressing generation of crack in a bonding process, a sputtering target using the oxide sintered body and a manufacturing method therefor.SOLUTION: The oxide sintered body is obtained by sintering indium oxide, gallium oxide and tin oxide, where primary particle diameter of the tin oxide is 0.5 μm or less, secondary particle diameter of the tin oxide is 1 μm to 5 μm, and 30 atom%≤[In]≤50 atom%, 20 atom%≤[Ga]≤30 atom% and 25 atom%≤[Sn]≤45 atom% are satisfied where percentages of contents of indium, gallium and tin (atom%) are [In], [Ga] and [Sn] respectively.SELECTED DRAWING: None
【課題】ボンディング工程での割れの発生を抑制できる酸化物焼結体、および該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと;酸化ガリウムと;酸化錫とを焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化錫の一次粒子径が0.5μm以下であり、かつ、前記酸化錫の二次粒子径が1μm以上5μm以下であり、酸化物焼結体に含まれる全金属元素に対する、インジウム、ガリウム及び錫の含有量の割合(原子%)を夫々、[In]、[Ga]及び[Sn]としたとき、30原子%≦[In]≦50原子%、20原子%≦[Ga]≦30原子%、25原子%≦[Sn]≦45原子%を満足する。【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body capable of suppressing generation of crack in a bonding process, a sputtering target using the oxide sintered body and a manufacturing method therefor.SOLUTION: The oxide sintered body is obtained by sintering indium oxide, gallium oxide and tin oxide, where primary particle diameter of the tin oxide is 0.5 μm or less, secondary particle diameter of the tin oxide is 1 μm to 5 μm, and 30 atom%≤[In]≤50 atom%, 20 atom%≤[Ga]≤30 atom% and 25 atom%≤[Sn]≤45 atom% are satisfied where percentages of contents of indium, gallium and tin (atom%) are [In], [Ga] and [Sn] respectively.SELECTED DRAWING: None
【課題】ボンディング工程での割れの発生を抑制できる酸化物焼結体、および該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと;酸化ガリウムと;酸化錫とを焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化錫の一次粒子径が0.5μm以下であり、かつ、前記酸化錫の二次粒子径が1μm以上5μm以下であり、酸化物焼結体に含まれる全金属元素に対する、インジウム、ガリウム及び錫の含有量の割合(原子%)を夫々、[In]、[Ga]及び[Sn]としたとき、30原子%≦[In]≦50原子%、20原子%≦[Ga]≦30原子%、25原子%≦[Sn]≦45原子%を満足する。【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法
TAO KOKI (Autor:in) / HATAKE HIDEO (Autor:in) / NAKANE YASUO (Autor:in)
26.01.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE-SINTERED-BODY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Europäisches Patentamt | 2017
|SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Europäisches Patentamt | 2018
|SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Europäisches Patentamt | 2018
|OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2016
|