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CERAMIC STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic structure containing a heater having a main component of WC on an AlN substrate, which is free from cracking and breakage, and which has a large calorific value.SOLUTION: A ceramic structure 10 has a heater electrode 14 built in a disk-shaped AlN ceramic substrate 12. The heater electrode 14 contains a metal filler (for example, Ru or RuAl) having lower resistivity and higher thermal expansion coefficient than AlN in a main component WC. The absolute value |ΔCTE| of a difference in thermal expansion coefficient between 40°C and 1000°C between the AlN ceramic substrate 12 and the heater electrode 14 is 0.35 ppm/°C or less.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】ＡｌＮ基体に主成分がＷＣであるヒーターを内蔵したセラミック構造体において、クラックや割れの発生を防止すると共に発熱量の大きなものを提供する。【解決手段】セラミック構造体１０は、円盤状のＡｌＮセラミック基体１２の内部にヒーター電極１４を内蔵したものである。ヒーター電極１４は、主成分のＷＣに、ＡｌＮよりも抵抗率が低く熱膨張係数の高い金属フィラー（例えばＲｕとかＲｕＡｌ）を含有させたものである。ＡｌＮセラミック基体１２とヒーター電極１４との４０〜１０００℃における熱膨張係数の差の絶対値｜ΔＣＴＥ｜は０．３５ｐｐｍ／℃以下である。【選択図】図２
CERAMIC STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic structure containing a heater having a main component of WC on an AlN substrate, which is free from cracking and breakage, and which has a large calorific value.SOLUTION: A ceramic structure 10 has a heater electrode 14 built in a disk-shaped AlN ceramic substrate 12. The heater electrode 14 contains a metal filler (for example, Ru or RuAl) having lower resistivity and higher thermal expansion coefficient than AlN in a main component WC. The absolute value |ΔCTE| of a difference in thermal expansion coefficient between 40°C and 1000°C between the AlN ceramic substrate 12 and the heater electrode 14 is 0.35 ppm/°C or less.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】ＡｌＮ基体に主成分がＷＣであるヒーターを内蔵したセラミック構造体において、クラックや割れの発生を防止すると共に発熱量の大きなものを提供する。【解決手段】セラミック構造体１０は、円盤状のＡｌＮセラミック基体１２の内部にヒーター電極１４を内蔵したものである。ヒーター電極１４は、主成分のＷＣに、ＡｌＮよりも抵抗率が低く熱膨張係数の高い金属フィラー（例えばＲｕとかＲｕＡｌ）を含有させたものである。ＡｌＮセラミック基体１２とヒーター電極１４との４０〜１０００℃における熱膨張係数の差の絶対値｜ΔＣＴＥ｜は０．３５ｐｐｍ／℃以下である。【選択図】図２
CERAMIC STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材
ATSUJI KYOHEI (Autor:in) / NISHIMURA NOBORU (Autor:in) / KATSUTA YUJI (Autor:in)
07.09.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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