Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a transparent conductive film that can form an ITiO film which has its specific resistance value stabilized and also has low resistance under a substrate-non-heating film formation condition, and the transparent conductive film.SOLUTION: The present invention relates to a method of manufacturing a transparent conductive film having low specific resistance and that includes: a sputtering target fabricating process S1 of fabricating a sputtering target containing indium, titanium and oxygen; a film forming process S2 of performing sputtering film formation in a non-heating state on a substrate by using the sputtering target; and a heat treatment process S3 of performing a heat treatment after the film forming process S2. In the film forming process S2, gas pressure of a mixed gas consisting of argon, oxygen and steam is 0.3-0.8 Pa in the sputtering, and gas pressure of the steam is 0.003-0.01 Pa.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】基板非加熱での成膜条件で、比抵抗値を安定させ、且つ低抵抗なＩＴｉＯ膜を成膜することができる透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜を提供する。【解決手段】低い比抵抗を有する透明導電膜の製造方法であって、インジウムとチタンと酸素を含有するスパッタリングターゲットを作製するスパッタリングターゲット作製工程Ｓ１と、スパッタリングターゲットを用いて基板に対して非加熱の状態でスパッタリング成膜を行う成膜工程Ｓ２と、成膜工程Ｓ２後に加熱処理を行う熱処理工程Ｓ３とを有し、成膜工程Ｓ２において、スパッタリング時のアルゴン、酸素、水蒸気からなる混合ガスのガス圧を０．３Ｐａ以上０．８Ｐａ以下とし、かつ水蒸気のガス圧を０．００３Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下とすることを特徴とする。【選択図】図１
METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a transparent conductive film that can form an ITiO film which has its specific resistance value stabilized and also has low resistance under a substrate-non-heating film formation condition, and the transparent conductive film.SOLUTION: The present invention relates to a method of manufacturing a transparent conductive film having low specific resistance and that includes: a sputtering target fabricating process S1 of fabricating a sputtering target containing indium, titanium and oxygen; a film forming process S2 of performing sputtering film formation in a non-heating state on a substrate by using the sputtering target; and a heat treatment process S3 of performing a heat treatment after the film forming process S2. In the film forming process S2, gas pressure of a mixed gas consisting of argon, oxygen and steam is 0.3-0.8 Pa in the sputtering, and gas pressure of the steam is 0.003-0.01 Pa.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】基板非加熱での成膜条件で、比抵抗値を安定させ、且つ低抵抗なＩＴｉＯ膜を成膜することができる透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜を提供する。【解決手段】低い比抵抗を有する透明導電膜の製造方法であって、インジウムとチタンと酸素を含有するスパッタリングターゲットを作製するスパッタリングターゲット作製工程Ｓ１と、スパッタリングターゲットを用いて基板に対して非加熱の状態でスパッタリング成膜を行う成膜工程Ｓ２と、成膜工程Ｓ２後に加熱処理を行う熱処理工程Ｓ３とを有し、成膜工程Ｓ２において、スパッタリング時のアルゴン、酸素、水蒸気からなる混合ガスのガス圧を０．３Ｐａ以上０．８Ｐａ以下とし、かつ水蒸気のガス圧を０．００３Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下とすることを特徴とする。【選択図】図１
METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜
NITO SHIGEO (Autor:in)
26.10.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2017
| Europäisches Patentamt | 2017