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    TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM METHOD OF MANUFACTURING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM

    [과제] 상대 밀도가 높고, 스퍼터 성막 시의 아크나 파티클의 발생을 억제할 수 있는 투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] In, Sn, Zn, O를 포함하고, Sn/(In＋Sn＋Zn)=7~17at%, Zn/(In＋Sn＋Zn)=0.5~12at%, Sn와 Zn의 원자수비(Sn/Zn)가 1.3 이상이며, 또한 XRD 측정에 따른 InO결정상에 대한 SnInO결정상의 피크 강도비(SnInO/InO)가 0.10 이하이고, 상대 밀도가 97% 이상인 투명 도전막 형성용 타깃이다.

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    [과제] 상대 밀도가 높고, 스퍼터 성막 시의 아크나 파티클의 발생을 억제할 수 있는 투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] In, Sn, Zn, O를 포함하고, Sn/(In＋Sn＋Zn)=7~17at%, Zn/(In＋Sn＋Zn)=0.5~12at%, Sn와 Zn의 원자수비(Sn/Zn)가 1.3 이상이며, 또한 XRD 측정에 따른 InO결정상에 대한 SnInO결정상의 피크 강도비(SnInO/InO)가 0.10 이하이고, 상대 밀도가 97% 이상인 투명 도전막 형성용 타깃이다.

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    [과제] 상대 밀도가 높고, 스퍼터 성막 시의 아크나 파티클의 발생을 억제할 수 있는 투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] In, Sn, Zn, O를 포함하고, Sn/(In＋Sn＋Zn)=7~17at%, Zn/(In＋Sn＋Zn)=0.5~12at%, Sn와 Zn의 원자수비(Sn/Zn)가 1.3 이상이며, 또한 XRD 측정에 따른 InO결정상에 대한 SnInO결정상의 피크 강도비(SnInO/InO)가 0.10 이하이고, 상대 밀도가 97% 이상인 투명 도전막 형성용 타깃이다.

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    TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM METHOD OF MANUFACTURING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM

    Weitere Titelangaben:

    투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법

    Erscheinungsdatum:

    16.03.2020

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Koreanisch

    Klassifikation:

    IPC:  C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL / C04B Kalk , LIME / H01J Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen , ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS

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