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POLYCRYSTAL DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITIVE ELEMENT
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polycrystal dielectric thin film having a high relative dielectric constant and the other.SOLUTION: A polycrystal dielectric thin film comprises: an oxynitride having a primary component represented by the general formula, (M(1)M(2))(M(3)M(4))(ON), where 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0
【課題】 比誘電率の高い多結晶誘電体薄膜等を提供する。【解決手段】 主成分が一般式（Ｍ（１）１−ｘＭ（２）ｘ）（Ｍ（３）１−ｙＭ（４）ｙ）（Ｏ１−ｚＮｚ）３で表される酸窒化物からなる多結晶誘電体薄膜である。０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０＜ｚ＜１／３である。Ｍ（１），Ｍ（２），Ｍ（３）およびＭ（４）の形式価数の総和が１４である。酸窒化物の結晶構造が、中心原子、２個の４ａサイト原子および４個の８ｈサイト原子からなる８面体構造を含む。中心原子がＭ（３）またはＭ（４）である。４ａサイト原子がＯ原子またはＮ原子である。８ｈサイト原子がＯ原子またはＮ原子である。８面体構造において、２個の４ａサイト原子を結んだ直線と、前記結晶構造のｃ軸方向とのなす角をθとする場合に、０．５°≦θ≦１２°である。【選択図】 図１
POLYCRYSTAL DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITIVE ELEMENT
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polycrystal dielectric thin film having a high relative dielectric constant and the other.SOLUTION: A polycrystal dielectric thin film comprises: an oxynitride having a primary component represented by the general formula, (M(1)M(2))(M(3)M(4))(ON), where 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0
【課題】 比誘電率の高い多結晶誘電体薄膜等を提供する。【解決手段】 主成分が一般式（Ｍ（１）１−ｘＭ（２）ｘ）（Ｍ（３）１−ｙＭ（４）ｙ）（Ｏ１−ｚＮｚ）３で表される酸窒化物からなる多結晶誘電体薄膜である。０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０＜ｚ＜１／３である。Ｍ（１），Ｍ（２），Ｍ（３）およびＭ（４）の形式価数の総和が１４である。酸窒化物の結晶構造が、中心原子、２個の４ａサイト原子および４個の８ｈサイト原子からなる８面体構造を含む。中心原子がＭ（３）またはＭ（４）である。４ａサイト原子がＯ原子またはＮ原子である。８ｈサイト原子がＯ原子またはＮ原子である。８面体構造において、２個の４ａサイト原子を結んだ直線と、前記結晶構造のｃ軸方向とのなす角をθとする場合に、０．５°≦θ≦１２°である。【選択図】 図１
POLYCRYSTAL DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITIVE ELEMENT
多結晶誘電体薄膜および容量素子
UMEDA YUJI (Autor:in) / YAMAZAKI KUMIKO (Autor:in)
08.11.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
DIELECTRIC THIN FILM, CAPACITIVE ELEMENT AND ELECTRONIC CIRCUIT SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2020
Elastic-plastic finite element polycrystal model
| British Library Online Contents | 1994