Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SPUTTERING TARGET MATERIAL AND SPUTTERING TARGET
To provide a sputtering target material and sputtering target, capable of effectively suppressing abnormal discharge when forming the dielectric layer of an optical recording medium without requiring health hazard prevention measures.SOLUTION: The sputtering target material including a zinc (Zn) oxide, a tin (Sn) oxide and a zirconium (Zr) oxide without including indium (In) has a zinc content Aof more than 0 at% and 50 at% or less, a tin content Aof 20 at% or more and 80 at% or less and a zirconium content Aof more than 0 at% and 40 at% or less to the total elements except oxygen (O). The Zn content satisfies the following formula (1); the ratio of the maximum to the minimum in a plurality of measured specific resistance values is 3 or less; and the specific resistance value is 5×10[Ω cm] or less. A/(A+A)≤0.6.....(1)SELECTED DRAWING: None
【課題】本発明は、光記録媒体の誘電体層を形成する際に異常放電を効果的に抑制することができ、健康障害防止対策の必要がないスパッタリングターゲット材及びスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様は、亜鉛（Ｚｎ）の酸化物、スズ（Ｓｎ）の酸化物及びジルコニウム（Ｚｒ）の酸化物を含み、酸素（Ｏ）以外の全元素に対して、亜鉛の含有量ＡＺｎが０ａｔ％超５０ａｔ％以下、スズの含有量ＡＳｎが２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下、及びジルコニウムの含有量ＡＺｒが０ａｔ％超４０ａｔ％以下であり、Ｚｎの含有量が下記式（１）を満たし、測定される複数の比抵抗値のうち、最小値に対する最大値の比が３以下、及び上記比抵抗値が５×１０−１［Ω・ｃｍ］以下であり、インジウム（Ｉｎ）を含有しないスパッタリングターゲット材である。ＡＺｎ／（ＡＺｎ＋ＡＳｎ）≦０．６・・・・・（１）【選択図】なし
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND SPUTTERING TARGET
To provide a sputtering target material and sputtering target, capable of effectively suppressing abnormal discharge when forming the dielectric layer of an optical recording medium without requiring health hazard prevention measures.SOLUTION: The sputtering target material including a zinc (Zn) oxide, a tin (Sn) oxide and a zirconium (Zr) oxide without including indium (In) has a zinc content Aof more than 0 at% and 50 at% or less, a tin content Aof 20 at% or more and 80 at% or less and a zirconium content Aof more than 0 at% and 40 at% or less to the total elements except oxygen (O). The Zn content satisfies the following formula (1); the ratio of the maximum to the minimum in a plurality of measured specific resistance values is 3 or less; and the specific resistance value is 5×10[Ω cm] or less. A/(A+A)≤0.6.....(1)SELECTED DRAWING: None
【課題】本発明は、光記録媒体の誘電体層を形成する際に異常放電を効果的に抑制することができ、健康障害防止対策の必要がないスパッタリングターゲット材及びスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様は、亜鉛（Ｚｎ）の酸化物、スズ（Ｓｎ）の酸化物及びジルコニウム（Ｚｒ）の酸化物を含み、酸素（Ｏ）以外の全元素に対して、亜鉛の含有量ＡＺｎが０ａｔ％超５０ａｔ％以下、スズの含有量ＡＳｎが２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下、及びジルコニウムの含有量ＡＺｒが０ａｔ％超４０ａｔ％以下であり、Ｚｎの含有量が下記式（１）を満たし、測定される複数の比抵抗値のうち、最小値に対する最大値の比が３以下、及び上記比抵抗値が５×１０−１［Ω・ｃｍ］以下であり、インジウム（Ｉｎ）を含有しないスパッタリングターゲット材である。ＡＺｎ／（ＡＺｎ＋ＡＳｎ）≦０．６・・・・・（１）【選択図】なし
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND SPUTTERING TARGET
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット
TAO KOKI (Autor:in) / HATAKE HIDEO (Autor:in)
19.09.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C01G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F nicht umfassten Metalle
,
COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
G11B
Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler
,
INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER