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SPUTTERING TARGET MATERIAL AND SPUTTERING TARGET
One embodiment of the present invention is a sputtering target material which contains an oxide of zinc (Zn), an oxide of tin (Sn) and an oxide of zirconium (Zr), but does not contain indium (In), and wherein: relative to all elements other than oxygen (O), the zinc content AZn is more than 0 at% but 50 at% or less, the tin content ASn is from 20 at% to 80 at% (inclusive), and the zirconium content AZr is more than 0 at% but 40 at% or less; the Zn content AZn satisfies formula (1); the ratio of the maximum value to the minimum value among the plurality of measured specific resistances is 3 or less; and the specific resistances are 5 × 10-1 (Ω·cm) or less. (1): AZn/(AZn + ASn) ≤ 0.6
Un mode de réalisation de la présente invention est un matériau de cible de pulvérisation qui contient un oxyde de zinc (Zn), un oxyde d'étain (Sn) et un oxyde de zirconium (Zr), mais ne contient pas d'indium (In), et dans lequel : par rapport à tous les éléments autres que l'oxygène (O), la teneur en zinc AZn est supérieure à 0 % atomique mais inférieure à 50 % atomique, la teneur en étain ASn est de 20 % atomique à 80 % atomique (inclus), et la teneur en zirconium AZr est supérieure à 0 % atomique mais inférieure à 40 % atomique ; la teneur en Zn AZn satisfait à la formule (1) ; le rapport de la valeur maximale à la valeur minimale parmi la pluralité de résistances spécifiques mesurées est de 3 ou moins ; et les résistances spécifiques sont de 5 × 10-1 (Ω·cm) ou moins. (1) : AZn/(AZn + ASn) ≤ 0,6
本発明の一態様は、亜鉛（Ｚｎ）の酸化物、スズ（Ｓｎ）の酸化物及びジルコニウム（Ｚｒ）の酸化物を含み、酸素（Ｏ）以外の全元素に対して、亜鉛の含有量ＡＺｎが０ａｔ％超５０ａｔ％以下、スズの含有量ＡＳｎが２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下、及びジルコニウムの含有量ＡＺｒが０ａｔ％超４０ａｔ％以下であり、Ｚｎの含有量ＡＺｎが下記式（１）を満たし、測定される複数の比抵抗値のうち、最小値に対する最大値の比が３以下、及び上記比抵抗値が５×１０－１［Ω・ｃｍ］以下であり、インジウム（Ｉｎ）を含有しないスパッタリングターゲット材である。 ＡＺｎ／（ＡＺｎ＋ＡＳｎ）≦０．６・・・・・（１）
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND SPUTTERING TARGET
One embodiment of the present invention is a sputtering target material which contains an oxide of zinc (Zn), an oxide of tin (Sn) and an oxide of zirconium (Zr), but does not contain indium (In), and wherein: relative to all elements other than oxygen (O), the zinc content AZn is more than 0 at% but 50 at% or less, the tin content ASn is from 20 at% to 80 at% (inclusive), and the zirconium content AZr is more than 0 at% but 40 at% or less; the Zn content AZn satisfies formula (1); the ratio of the maximum value to the minimum value among the plurality of measured specific resistances is 3 or less; and the specific resistances are 5 × 10-1 (Ω·cm) or less. (1): AZn/(AZn + ASn) ≤ 0.6
Un mode de réalisation de la présente invention est un matériau de cible de pulvérisation qui contient un oxyde de zinc (Zn), un oxyde d'étain (Sn) et un oxyde de zirconium (Zr), mais ne contient pas d'indium (In), et dans lequel : par rapport à tous les éléments autres que l'oxygène (O), la teneur en zinc AZn est supérieure à 0 % atomique mais inférieure à 50 % atomique, la teneur en étain ASn est de 20 % atomique à 80 % atomique (inclus), et la teneur en zirconium AZr est supérieure à 0 % atomique mais inférieure à 40 % atomique ; la teneur en Zn AZn satisfait à la formule (1) ; le rapport de la valeur maximale à la valeur minimale parmi la pluralité de résistances spécifiques mesurées est de 3 ou moins ; et les résistances spécifiques sont de 5 × 10-1 (Ω·cm) ou moins. (1) : AZn/(AZn + ASn) ≤ 0,6
本発明の一態様は、亜鉛（Ｚｎ）の酸化物、スズ（Ｓｎ）の酸化物及びジルコニウム（Ｚｒ）の酸化物を含み、酸素（Ｏ）以外の全元素に対して、亜鉛の含有量ＡＺｎが０ａｔ％超５０ａｔ％以下、スズの含有量ＡＳｎが２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下、及びジルコニウムの含有量ＡＺｒが０ａｔ％超４０ａｔ％以下であり、Ｚｎの含有量ＡＺｎが下記式（１）を満たし、測定される複数の比抵抗値のうち、最小値に対する最大値の比が３以下、及び上記比抵抗値が５×１０－１［Ω・ｃｍ］以下であり、インジウム（Ｉｎ）を含有しないスパッタリングターゲット材である。 ＡＺｎ／（ＡＺｎ＋ＡＳｎ）≦０．６・・・・・（１）
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND SPUTTERING TARGET
MATÉRIAU DE CIBLE DE PULVÉRISATION ET CIBLE DE PULVÉRISATION
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット
TAO YUKI (Autor:in) / HATA HIDEO (Autor:in)
19.09.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C01G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F nicht umfassten Metalle
,
COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
G11B
Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler
,
INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER