Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM
To provide a sputtering target material for optical recording media and sputtering target for optical recording media, capable of effectively suppressing abnormal discharge when forming the dielectric layer of an optical recording medium without requiring health hazard prevention measures.SOLUTION: The sputtering target material includes a zinc (Zn) oxide, a tin (Sn) oxide and a zirconium (Zr) oxide. A zinc content Ais more than 0 at% and 50at% or less to the entire elements except oxygen (O); a tin content Ais 20 at% or more and 80at% or less; and a zirconium content Ais more than 0 at% and 40 at% or less. The Zn content satisfies the following formula (1); the ratio of the maximum to the minimum in a plurality of measured specific resistance values is 3 or less; the specific resistance value is 5×10[Ω cm] or less; and indium (In) is not included. A/(A+A)≤0.6..... (1)SELECTED DRAWING: None
【課題】本発明は、光記録媒体の誘電体層を形成する際に異常放電を効果的に抑制することができ、健康障害防止対策の必要がない光記録媒体用スパッタリングターゲット材及び光記録媒体用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様は、亜鉛（Ｚｎ）の酸化物、スズ（Ｓｎ）の酸化物及びジルコニウム（Ｚｒ）の酸化物を含み、酸素（Ｏ）以外の全元素に対して、亜鉛の含有量ＡＺｎが０ａｔ％超５０ａｔ％以下、スズの含有量ＡＳｎが２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下、及びジルコニウムの含有量ＡＺｒが０ａｔ％超４０ａｔ％以下であり、Ｚｎの含有量が下記式（１）を満たし、測定される複数の比抵抗値のうち、最小値に対する最大値の比が３以下、及び上記比抵抗値が５×１０−１［Ω・ｃｍ］以下であり、インジウム（Ｉｎ）を含有しない光記録媒体用スパッタリングターゲット材である。ＡＺｎ／（ＡＺｎ＋ＡＳｎ）≦０．６・・・・・（１）【選択図】なし
SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM
To provide a sputtering target material for optical recording media and sputtering target for optical recording media, capable of effectively suppressing abnormal discharge when forming the dielectric layer of an optical recording medium without requiring health hazard prevention measures.SOLUTION: The sputtering target material includes a zinc (Zn) oxide, a tin (Sn) oxide and a zirconium (Zr) oxide. A zinc content Ais more than 0 at% and 50at% or less to the entire elements except oxygen (O); a tin content Ais 20 at% or more and 80at% or less; and a zirconium content Ais more than 0 at% and 40 at% or less. The Zn content satisfies the following formula (1); the ratio of the maximum to the minimum in a plurality of measured specific resistance values is 3 or less; the specific resistance value is 5×10[Ω cm] or less; and indium (In) is not included. A/(A+A)≤0.6..... (1)SELECTED DRAWING: None
【課題】本発明は、光記録媒体の誘電体層を形成する際に異常放電を効果的に抑制することができ、健康障害防止対策の必要がない光記録媒体用スパッタリングターゲット材及び光記録媒体用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様は、亜鉛（Ｚｎ）の酸化物、スズ（Ｓｎ）の酸化物及びジルコニウム（Ｚｒ）の酸化物を含み、酸素（Ｏ）以外の全元素に対して、亜鉛の含有量ＡＺｎが０ａｔ％超５０ａｔ％以下、スズの含有量ＡＳｎが２０ａｔ％以上８０ａｔ％以下、及びジルコニウムの含有量ＡＺｒが０ａｔ％超４０ａｔ％以下であり、Ｚｎの含有量が下記式（１）を満たし、測定される複数の比抵抗値のうち、最小値に対する最大値の比が３以下、及び上記比抵抗値が５×１０−１［Ω・ｃｍ］以下であり、インジウム（Ｉｎ）を含有しない光記録媒体用スパッタリングターゲット材である。ＡＺｎ／（ＡＺｎ＋ＡＳｎ）≦０．６・・・・・（１）【選択図】なし
SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM
光記録媒体用スパッタリングターゲット材、及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
TAO KOKI (Autor:in) / HATAKE HIDEO (Autor:in)
03.10.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium
| Europäisches Patentamt | 2015
Sputtering target, magnetic film, and perpendicular magnetic recording medium
| Europäisches Patentamt | 2023