Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE WAFER, AND THE ALUMINUM NITRIDE WAFER
To provide a method for manufacturing an aluminum nitride wafer, and the aluminum nitride wafer.SOLUTION: An aluminum nitride wafer material of the present invention in which at least one or more notch or orientation flat is formed on its outer edge, by which a defect rate can be reduced in a semiconductor processing step by the notch or the orientation flat, and a non-defect rate can be increased by exerting excellent alignment effect. Because the aluminum nitride wafer of the present invention has excellent thermal conduction, dielectric constant, insulation properties and heat-radiating properties, it is suitable for a semiconductor processing step, an electronic product or semiconductor facility.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】窒化アルミニウムウェハの製造方法およびその窒化アルミニウムウェハを提供する。【解決手段】本発明の窒化アルミニウムウェハ材は、その外縁上に少なくとも１以上のノッチまたはオリエンテーションフラットを形成し、前記ノッチまたは前記オリエンテーションフラットにより半導体加工工程において不良率を下げることができ、優れたアライメント効果を発揮することで良品率を高めることができる。本発明の窒化アルミニウムウェハは、優れた熱伝導、誘電率及、絶縁性及び放熱性を有するため、半導体加工工程、電子製品や半導体設備に適している。【選択図】図２
METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE WAFER, AND THE ALUMINUM NITRIDE WAFER
To provide a method for manufacturing an aluminum nitride wafer, and the aluminum nitride wafer.SOLUTION: An aluminum nitride wafer material of the present invention in which at least one or more notch or orientation flat is formed on its outer edge, by which a defect rate can be reduced in a semiconductor processing step by the notch or the orientation flat, and a non-defect rate can be increased by exerting excellent alignment effect. Because the aluminum nitride wafer of the present invention has excellent thermal conduction, dielectric constant, insulation properties and heat-radiating properties, it is suitable for a semiconductor processing step, an electronic product or semiconductor facility.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】窒化アルミニウムウェハの製造方法およびその窒化アルミニウムウェハを提供する。【解決手段】本発明の窒化アルミニウムウェハ材は、その外縁上に少なくとも１以上のノッチまたはオリエンテーションフラットを形成し、前記ノッチまたは前記オリエンテーションフラットにより半導体加工工程において不良率を下げることができ、優れたアライメント効果を発揮することで良品率を高めることができる。本発明の窒化アルミニウムウェハは、優れた熱伝導、誘電率及、絶縁性及び放熱性を有するため、半導体加工工程、電子製品や半導体設備に適している。【選択図】図２
METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE WAFER, AND THE ALUMINUM NITRIDE WAFER
窒化アルミニウムウェハの製造方法およびその窒化アルミニウムウェハ
ZENG YAN-KAI (Autor:in) / JIANG BAI-XUAN (Autor:in)
27.09.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
Europäisches Patentamt | 2022
METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
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