METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME: Fid-Bau Portal

METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME

ZENG YAN KAI / JIANG BAI XUAN

The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum nitride wafer and an aluminum nitride wafer. The method comprises a step of forming at least one alignment notch or alignment flat band around an outer periphery of an aluminum nitride wafer material, wherein the alignment notch and the alignment flat band do not cause a manufacturing process defect in an aluminum nitride wafer semiconductor manufacturing process, and provide a precise position alignment function to improve the yield. The aluminum nitride wafer of the present invention has high thermal conductivity, high dielectric constant, and excellent insulation and heat dissipation, is suitable for semiconductor manufacturing processes and applications of electronic products and semiconductor devices, and is also suitable for application to electronic products.

본 발명은 질화알루미늄 웨이퍼의 제조 방법 및 질화알루미늄 웨이퍼에 관한 것으로서, 상기 제조 방법은 상기 질화알루미늄 웨이퍼 재료의 바깥 둘레에 적어도 하나의 얼라이먼트 노치 또는 얼라이먼트 플랫 밴드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 얼라이먼트 노치 및 얼라이먼트 플랫 밴드는 상기 질화알루미늄 웨이퍼가 반도체 제조 과정에서 제조 공정 불량이 초래되는 상황이 발생하지 않으며, 정밀한 위치 얼라이먼트 기능을 구비하여 수율을 향상시킨다. 본 발명의 질화알루미늄 웨이퍼는 고 열전도율, 고 유전율을 구비하고, 절연성 및 산열이 훌륭하며, 반도체 제조 공정, 전자 제품 및 반도체 기기의 응용에 적합하고 전자 제품으로 응용되기에 적절하다.

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