Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
본 발명은 질화알루미늄 웨이퍼의 제조 방법 및 질화알루미늄 웨이퍼에 관한 것으로서, 상기 제조 방법은 상기 질화알루미늄 웨이퍼 재료의 바깥 둘레에 적어도 하나의 얼라이먼트 노치 또는 얼라이먼트 플랫 밴드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 얼라이먼트 노치 및 얼라이먼트 플랫 밴드는 상기 질화알루미늄 웨이퍼가 반도체 제조 과정에서 제조 공정 불량이 초래되는 상황이 발생하지 않으며, 정밀한 위치 얼라이먼트 기능을 구비하여 수율을 향상시킨다. 본 발명의 질화알루미늄 웨이퍼는 고 열전도율, 고 유전율을 구비하고, 절연성 및 산열이 훌륭하며, 반도체 제조 공정, 전자 제품 및 반도체 기기의 응용에 적합하고 전자 제품으로 응용되기에 적절하다.
The present invention provides an aluminum nitride wafer and a method for making the same. The method includes forming at least one alignment notch in or at least one flat alignment edge on a periphery of the aluminum nitride wafer. The alignment notch and the flat alignment edge can prevent the aluminum nitride wafer from being in a poor state during the semiconductor manufacturing process and makes it possible to position the aluminum nitride wafer precisely so that the fraction defective can be lowered. The aluminum nitride wafer of the present invention has advantages of effective insulation, efficient heat dissipation, and a high dielectric constant, and can be used in semiconductor manufacturing processes, electronic products, and semiconductor equipment.
METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
본 발명은 질화알루미늄 웨이퍼의 제조 방법 및 질화알루미늄 웨이퍼에 관한 것으로서, 상기 제조 방법은 상기 질화알루미늄 웨이퍼 재료의 바깥 둘레에 적어도 하나의 얼라이먼트 노치 또는 얼라이먼트 플랫 밴드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 얼라이먼트 노치 및 얼라이먼트 플랫 밴드는 상기 질화알루미늄 웨이퍼가 반도체 제조 과정에서 제조 공정 불량이 초래되는 상황이 발생하지 않으며, 정밀한 위치 얼라이먼트 기능을 구비하여 수율을 향상시킨다. 본 발명의 질화알루미늄 웨이퍼는 고 열전도율, 고 유전율을 구비하고, 절연성 및 산열이 훌륭하며, 반도체 제조 공정, 전자 제품 및 반도체 기기의 응용에 적합하고 전자 제품으로 응용되기에 적절하다.
The present invention provides an aluminum nitride wafer and a method for making the same. The method includes forming at least one alignment notch in or at least one flat alignment edge on a periphery of the aluminum nitride wafer. The alignment notch and the flat alignment edge can prevent the aluminum nitride wafer from being in a poor state during the semiconductor manufacturing process and makes it possible to position the aluminum nitride wafer precisely so that the fraction defective can be lowered. The aluminum nitride wafer of the present invention has advantages of effective insulation, efficient heat dissipation, and a high dielectric constant, and can be used in semiconductor manufacturing processes, electronic products, and semiconductor equipment.
METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
질화알루미늄 웨이퍼의 제조 방법 및 그 질화알루미늄 웨이퍼
17.10.2022
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
METHOD FOR MAKING ALUMINUM NITRIDE WAFER AND ALUMINUM NITRIDE WAFER MADE BY THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2021
METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE WAFER, AND THE ALUMINUM NITRIDE WAFER
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WAFER MADE OF SINTERED SILICON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL USING SAME
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