Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SILICON NITRIDE SINTERED BODY
To achieve smaller warpage and higher dielectric breakdown voltage in a silicon nitride sintered body.SOLUTION: In at least one area of 64 μm×48 μm of a polished surface of a silicon nitride sintered body whose surface has been polished 50 μm or over, the number of voids having an irregularity degree of 0.9 or over calculated by dividing a surface area in a contour line of a void by a surface area in an envelope of a void occupies 10% or over of the total number of voids, or, the number of voids having the irregularity degree of 0.8 or over occupies 30% or over of the total number of voids.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】窒化ケイ素焼結体の反りを小さくし、絶縁破壊電圧をより高くする。【解決手段】窒化ケイ素焼結体の表面を５０μｍ以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの６４μｍ×４８μｍのエリアにおいて、ボイドの輪郭線内の面積をボイドの包絡線内の面積で除して算出される凹凸度が０．９以上であるボイドの個数が、ボイドの全個数の１０％以上を占めている、あるいは、当該凹凸度が０．８以上であるボイドの個数が、ボイドの全個数の３０％以上を占めているようにする。【選択図】図２
SILICON NITRIDE SINTERED BODY
To achieve smaller warpage and higher dielectric breakdown voltage in a silicon nitride sintered body.SOLUTION: In at least one area of 64 μm×48 μm of a polished surface of a silicon nitride sintered body whose surface has been polished 50 μm or over, the number of voids having an irregularity degree of 0.9 or over calculated by dividing a surface area in a contour line of a void by a surface area in an envelope of a void occupies 10% or over of the total number of voids, or, the number of voids having the irregularity degree of 0.8 or over occupies 30% or over of the total number of voids.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】窒化ケイ素焼結体の反りを小さくし、絶縁破壊電圧をより高くする。【解決手段】窒化ケイ素焼結体の表面を５０μｍ以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの６４μｍ×４８μｍのエリアにおいて、ボイドの輪郭線内の面積をボイドの包絡線内の面積で除して算出される凹凸度が０．９以上であるボイドの個数が、ボイドの全個数の１０％以上を占めている、あるいは、当該凹凸度が０．８以上であるボイドの個数が、ボイドの全個数の３０％以上を占めているようにする。【選択図】図２
SILICON NITRIDE SINTERED BODY
窒化ケイ素焼結体
MATSUMOTO OSAMU (Autor:in) / TAKAHASHI MITSUTAKA (Autor:in)
28.07.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2024