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    SILICON NITRIDE SINTERED BODY

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    To meet the application of a silicon nitride sintered body that requires a high dielectric breakdown voltage when formed having a thickness of about 100 μm.SOLUTION: A silicon nitride sintered body has a dielectric breakdown voltage of 5.4 kV or higher when an AC voltage is applied to a plate-shaped silicon nitride sintered body having a thickness of 100 μm.SELECTED DRAWING: Figure 2

    【課題】厚さ１００μｍほどに形成したときに高い絶縁破壊電圧が要求される窒化ケイ素焼結体の用途に対応する。【解決手段】厚さ１００μｍの板状の窒化ケイ素焼結体に交流電圧を印加したときの絶縁破壊電圧が５．４ｋＶ以上である窒化ケイ素焼結体である。【選択図】図２

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    Titel:

    SILICON NITRIDE SINTERED BODY

    Weitere Titelangaben:

    窒化ケイ素焼結体

    Beteiligte:

    MATSUMOTO OSAMU (Autor:in) / TAKAHASHI MITSUTAKA (Autor:in)

    Erscheinungsdatum:

    16.08.2024

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Japanisch

    Klassifikation:

    IPC:  C04B Kalk , LIME / H05K PRINTED CIRCUITS , Gedruckte Schaltungen

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