Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, SPUTTERING TARGET, AND SINTERED OXIDE
To provide an oxide semiconductor film capable of enhancing both carrier mobility and stability against environmental temperature in thin-film transistors.SOLUTION: The oxide semiconductor film according to an aspect of the present invention is an oxide semiconductor film used for thin-film transistors, and contains In and Zn as metallic elements and element X, which is one of La and Nd, and the content of the above In, the above Zn and the above X in the total metallic elements is In: 30 atm% to 90 atm% inclusive, Zn: 9 atm% to 70 atm% inclusive, X: 0.0001 atm% to 2 atm% inclusive.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本発明は、薄膜トランジスタのキャリア移動度と環境温度に対する安定性とを共に高めることができる酸化物半導体膜を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様に係る酸化物半導体膜は、薄膜トランジスタに用いられる酸化物半導体膜であって、金属元素として、Ｉｎ及びＺｎと、Ｌａ及びＮｄのいずれかである元素Ｘとを含み、全金属元素における上記Ｉｎ、上記Ｚｎ及び上記Ｘの含有量が、Ｉｎ：３０ａｔｍ％以上９０ａｔｍ％以下、Ｚｎ：９ａｔｍ％以上７０ａｔｍ％以下、Ｘ：０．０００１ａｔｍ％以上２ａｔｍ％以下である。【選択図】図１
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, SPUTTERING TARGET, AND SINTERED OXIDE
To provide an oxide semiconductor film capable of enhancing both carrier mobility and stability against environmental temperature in thin-film transistors.SOLUTION: The oxide semiconductor film according to an aspect of the present invention is an oxide semiconductor film used for thin-film transistors, and contains In and Zn as metallic elements and element X, which is one of La and Nd, and the content of the above In, the above Zn and the above X in the total metallic elements is In: 30 atm% to 90 atm% inclusive, Zn: 9 atm% to 70 atm% inclusive, X: 0.0001 atm% to 2 atm% inclusive.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本発明は、薄膜トランジスタのキャリア移動度と環境温度に対する安定性とを共に高めることができる酸化物半導体膜を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様に係る酸化物半導体膜は、薄膜トランジスタに用いられる酸化物半導体膜であって、金属元素として、Ｉｎ及びＺｎと、Ｌａ及びＮｄのいずれかである元素Ｘとを含み、全金属元素における上記Ｉｎ、上記Ｚｎ及び上記Ｘの含有量が、Ｉｎ：３０ａｔｍ％以上９０ａｔｍ％以下、Ｚｎ：９ａｔｍ％以上７０ａｔｍ％以下、Ｘ：０．０００１ａｔｍ％以上２ａｔｍ％以下である。【選択図】図１
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, SPUTTERING TARGET, AND SINTERED OXIDE
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、スパッタリングターゲット及び酸化物焼結体
OCHI MOTOTAKA (Autor:in) / TERAMAE YUMI (Autor:in) / MISHIYAMA KOHEI (Autor:in) / MIYATA KOICHI (Autor:in)
26.10.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2018
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND THIN FILM TRANSISTOR
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2018