Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
An oxide semiconductor film which contains In, Ga and Sn at atomic ratios expressed by formula (1) 0.01 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0.30, formula (2) 0.01 ≤ Sn/(In + Ga + Sn) ≤ 0.40 and formula (3) 0.55 ≤ In/(In + Ga + Sn) ≤ 0.98, while containing a rare earth element X at an atomic ratio expressed by formula (4) 0.03 ≤ X/(In + Ga + Sn + X) ≤ 0.25.
La présente invention concerne un film d'oxyde semi-conducteur contenant de l'In, du Ga et du Sn dans des rapports atomiques exprimés par la formule (1) 0.01 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0.30, la formule (2) 0.01 ≤ Sn/(In + Ga + Sn) ≤ 0.40 et la formule (3) 0.55 ≤ In/(In + Ga + Sn) ≤ 0.98, tout en contenant un élément des terres rares X en un rapport atomique exprimé par la formule (4) 0.03 ≤ X/(In + Ga + Sn + X) ≤ 0.25.
Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎを下記原子比 ０．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．３０ ・・・（１） ０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４０ ・・・（２） ０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．９８ ・・・（３） で含有し、 かつ、レアアース元素Ｘを下記原子比 ０．０３≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｘ）≦０．２５ ・・・（４） で含有する酸化物半導体膜。
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
An oxide semiconductor film which contains In, Ga and Sn at atomic ratios expressed by formula (1) 0.01 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0.30, formula (2) 0.01 ≤ Sn/(In + Ga + Sn) ≤ 0.40 and formula (3) 0.55 ≤ In/(In + Ga + Sn) ≤ 0.98, while containing a rare earth element X at an atomic ratio expressed by formula (4) 0.03 ≤ X/(In + Ga + Sn + X) ≤ 0.25.
La présente invention concerne un film d'oxyde semi-conducteur contenant de l'In, du Ga et du Sn dans des rapports atomiques exprimés par la formule (1) 0.01 ≤ Ga/(In + Ga + Sn) ≤ 0.30, la formule (2) 0.01 ≤ Sn/(In + Ga + Sn) ≤ 0.40 et la formule (3) 0.55 ≤ In/(In + Ga + Sn) ≤ 0.98, tout en contenant un élément des terres rares X en un rapport atomique exprimé par la formule (4) 0.03 ≤ X/(In + Ga + Sn + X) ≤ 0.25.
Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎを下記原子比 ０．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．３０ ・・・（１） ０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．４０ ・・・（２） ０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．９８ ・・・（３） で含有し、 かつ、レアアース元素Ｘを下記原子比 ０．０３≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｘ）≦０．２５ ・・・（４） で含有する酸化物半導体膜。
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, CORPS D'OXYDE FRITTÉ ET CIBLE DE PULVÉRISATION
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
INOUE KAZUYOSHI (Autor:in) / MASATOSHI SHIBATA (Autor:in)
30.08.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND THIN FILM TRANSISTOR
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2018
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN FILM TRANSISTOR, OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2019
Oxide semiconductor film, thin film transistor, oxide sintered body, and sputtering target
| Europäisches Patentamt | 2023