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SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET MATERIAL

KURODA TOSHIAKI / SHIBATA KENJI / WATANABE KAZUTOSHI / IWATANI KOSAKU

To provide a KNN target material that has low density and is highly resistant against crack.SOLUTION: A sputtering target material comprises a sintered compact of an oxide including potassium, sodium, niobium and oxygen and has density of 4.2 g/cm3 or less and Vickers hardness of 30 or more and 200 or less, where an area average particle size of a plurality of crystal grains is 3.0 μm or more when being observed at a sputter surface.SELECTED DRAWING: Figure 1

【課題】低密度かつ割れに強いＫＮＮターゲット材を提供する。【解決手段】カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含む酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が４．２ｇ／ｃｍ３以下であり、ビッカース硬度が３０以上２００以下であり、スパッタ面にて観察される複数の結晶粒の面積平均粒子径が３．０μｍ以上である。【選択図】図１

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To provide a KNN target material that has low density and is highly resistant against crack.SOLUTION: A sputtering target material comprises a sintered compact of an oxide including potassium, sodium, niobium and oxygen and has density of 4.2 g/cm3 or less and Vickers hardness of 30 or more and 200 or less, where an area average particle size of a plurality of crystal grains is 3.0 μm or more when being observed at a sputter surface.SELECTED DRAWING: Figure 1

【課題】低密度かつ割れに強いＫＮＮターゲット材を提供する。【解決手段】カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含む酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が４．２ｇ／ｃｍ３以下であり、ビッカース硬度が３０以上２００以下であり、スパッタ面にて観察される複数の結晶粒の面積平均粒子径が３．０μｍ以上である。【選択図】図１

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KURODA TOSHIAKI / SHIBATA KENJI / WATANABE KAZUTOSHI / IWATANI KOSAKU

To provide a KNN target material that has low density and is highly resistant against crack.SOLUTION: A sputtering target material comprises a sintered compact of an oxide including potassium, sodium, niobium and oxygen and has density of 4.2 g/cm3 or less and Vickers hardness of 30 or more and 200 or less, where an area average particle size of a plurality of crystal grains is 3.0 μm or more when being observed at a sputter surface.SELECTED DRAWING: Figure 1

【課題】低密度かつ割れに強いＫＮＮターゲット材を提供する。【解決手段】カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含む酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が４．２ｇ／ｃｍ３以下であり、ビッカース硬度が３０以上２００以下であり、スパッタ面にて観察される複数の結晶粒の面積平均粒子径が３．０μｍ以上である。【選択図】図１

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SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET MATERIAL

Weitere Titelangaben:

スパッタリングターゲット材及びスパッタリングターゲット材の製造方法

Beteiligte:

KURODA TOSHIAKI (Autor:in) / SHIBATA KENJI (Autor:in) / WATANABE KAZUTOSHI (Autor:in) / IWATANI KOSAKU (Autor:in)

Erscheinungsdatum:

13.03.2024

Medientyp:

Patent

Format:

Elektronische Ressource

Sprache:

Japanisch

Klassifikation:

IPC: C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL / C04B Kalk , LIME / H10N

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