Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SILICON NITRIDE THIN PLATE AND SILICON NITRIDE RESIN COMPOSITE PLATE
To provide a silicon nitride thin plate having improved dielectric breakdown voltage and thermal conductivity and a silicon nitride resin composite plate.SOLUTION: The present invention relates to a thin plate containing sintered β-type silicon nitride particles and having a plate thickness of 160 μm or less. The β-type silicon nitride particles include long β-type silicon nitride particles having a hexagonal column shape having a major axis and a minor axis, a ratio of the major axis length to a plate thickness of 0.7 or more, and a slope of the major axis from a normal of a surface of the thin plate of 45 degrees or less. The silicon nitride resin composite plate comprises a resin layer adhering to the thin plate and at least one of surfaces thereof.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】絶縁破壊電圧と熱伝導率を高めた窒化ケイ素薄板及び窒化ケイ素樹脂複合板を提供する。【解決手段】焼結されたβ型窒化ケイ素粒子を含有する板厚が１６０μｍ以下である薄板であって、前記β型窒化ケイ素粒子には、長軸及び短軸を有する六角柱状をなし、長軸長の前記板厚に対する比が０．７以上であり、前記薄板の表面の法線からの長軸の傾きが４５度以下である、長形β型窒化ケイ素粒子が含まれる。窒化ケイ素樹脂複合板は、この薄板とその少なくとも一方の表面に密着している樹脂層とを含む。【選択図】図１
SILICON NITRIDE THIN PLATE AND SILICON NITRIDE RESIN COMPOSITE PLATE
To provide a silicon nitride thin plate having improved dielectric breakdown voltage and thermal conductivity and a silicon nitride resin composite plate.SOLUTION: The present invention relates to a thin plate containing sintered β-type silicon nitride particles and having a plate thickness of 160 μm or less. The β-type silicon nitride particles include long β-type silicon nitride particles having a hexagonal column shape having a major axis and a minor axis, a ratio of the major axis length to a plate thickness of 0.7 or more, and a slope of the major axis from a normal of a surface of the thin plate of 45 degrees or less. The silicon nitride resin composite plate comprises a resin layer adhering to the thin plate and at least one of surfaces thereof.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】絶縁破壊電圧と熱伝導率を高めた窒化ケイ素薄板及び窒化ケイ素樹脂複合板を提供する。【解決手段】焼結されたβ型窒化ケイ素粒子を含有する板厚が１６０μｍ以下である薄板であって、前記β型窒化ケイ素粒子には、長軸及び短軸を有する六角柱状をなし、長軸長の前記板厚に対する比が０．７以上であり、前記薄板の表面の法線からの長軸の傾きが４５度以下である、長形β型窒化ケイ素粒子が含まれる。窒化ケイ素樹脂複合板は、この薄板とその少なくとも一方の表面に密着している樹脂層とを含む。【選択図】図１
SILICON NITRIDE THIN PLATE AND SILICON NITRIDE RESIN COMPOSITE PLATE
窒化ケイ素薄板及び窒化ケイ素樹脂複合板
MATSUMOTO OSAMU (Autor:in) / TAKAHASHI MITSUTAKA (Autor:in)
04.07.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Europäisches Patentamt | 2025
| Europäisches Patentamt | 2022
Silicon nitride microcrystalline plate and production process thereof
| Europäisches Patentamt | 2022