Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Ｃ１２Ａ７エレクトライドの薄膜の製造方法、およびＣ１２Ａ７エレクトライドの薄膜
Ｃ１２Ａ７エレクトライドの薄膜の製造方法であって、電子密度が２．０×１０１８ｃｍ−３〜２．３×１０２１ｃｍ−３の結晶質Ｃ１２Ａ７エレクトライドのターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、気相蒸着法により、基板上に成膜を行うことにより、非晶質Ｃ１２Ａ７エレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする製造方法。
A C12A7 electride thin film fabrication method includes a step of forming an amorphous C12A7 electride thin film on a substrate by vapor deposition under a low-oxygen-partial-pressure atmosphere using a target made of a crystalline C12A7 electride having an electron density within a range of 2.0×10 18 cm -3 to 2.3×10 21 cm -3 .
Ｃ１２Ａ７エレクトライドの薄膜の製造方法、およびＣ１２Ａ７エレクトライドの薄膜
Ｃ１２Ａ７エレクトライドの薄膜の製造方法であって、電子密度が２．０×１０１８ｃｍ−３〜２．３×１０２１ｃｍ−３の結晶質Ｃ１２Ａ７エレクトライドのターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、気相蒸着法により、基板上に成膜を行うことにより、非晶質Ｃ１２Ａ７エレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする製造方法。
A C12A7 electride thin film fabrication method includes a step of forming an amorphous C12A7 electride thin film on a substrate by vapor deposition under a low-oxygen-partial-pressure atmosphere using a target made of a crystalline C12A7 electride having an electron density within a range of 2.0×10 18 cm -3 to 2.3×10 21 cm -3 .
Ｃ１２Ａ７エレクトライドの薄膜の製造方法、およびＣ１２Ａ７エレクトライドの薄膜
26.05.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
C12A7 electride thin film fabrication method and C12A7 electride thin film
| Europäisches Patentamt | 2019
PRODUCTION METHOD FOR C12A7 ELECTRIDE THIN FILM, AND C12A7 ELECTRIDE THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2021
Hydrothermal Products of the C3MS2-C12A7-MgO System
| Online Contents | 1997
Hydrothermal products of the C3MS2-C12A7-MgO system
| Tema Archiv | 1997
Bistable resistance switching in surface-oxidized C12A7:e- single-crystal
| British Library Online Contents | 2009