Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SILICON NITRIDE BOARD METHOD FOR MANUFACTURING THE SILICON NITRIDE BOARD AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR MODULE USING THE SILICON NITRIDE BOARD
고강도 및 고열전도율의 질화 규소질 소결체로 이루어지는 질화 규소 기판 및 그 제조 방법과 그것을 사용한 질화 규소 회로 기판 및 반도체 모듈을 제공한다. β형 질화 규소의 결정 입자(11)와, 적어도 1종류의 희토류 원소(RE), 마그네슘(Mg) 및 규소(Si)를 함유하는 입계상으로 이루어지는 질화 규소 기판에서, 상기 입계상은 비정질상(12)과 MgSiN결정상(13)으로 이루어지고, 상기 희토류 원소(RE)를 함유한 결정상의 어느 결정면의 X선 회절선 피크 강도도 상기 β형 질화 규소의 결정 입자의 (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) 및 (002)의 회절선 피크 강도의 합의 0.0005배 미만이고, 상기 MgSiN결정상(13)의 (121)의 X선 회절 피크 강도가 상기 β형 질화 규소의 결정 입자의 (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) 및 (002)의 X선 회절 피크 강도의 합의 0.0005∼0.003배인 질화 규소질 소결체.
Provided are a silicon nitride substrate made of a silicon nitride sintered body that is high in strength and thermal conductivity, a method of producing the silicon nitride substrate, and a silicon nitride circuit substrate and a semiconductor module that use the silicon nitride substrate. According to the silicon nitride sintered body, in a silicon nitride substrate consisting of crystal grains 11 of ²-type silicon nitride and a grain boundary phase containing at least one type of rare earth element (RE), magnesium (Mg) and silicon (Si), the grain boundary phase consists of an amorphous phase 12 and a MgSiN 2 crystal phase 13; the X-ray diffraction peak intensity of any crystal plane of a crystal phase containing the rare earth element (RE) is less than 0.0005 times the sum of the diffraction peak intensities of (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) and (002) of the crystal grains of the ²-type silicon nitride; and the X-ray diffraction peak intensity of (121) of the MgSiN 2 crystal phase 13 is 0.0005 to 0.003 times the sum of the X-ray diffraction peak intensities of (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) and (002) of the crystal grains of the ²-type silicon nitride.
SILICON NITRIDE BOARD METHOD FOR MANUFACTURING THE SILICON NITRIDE BOARD AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR MODULE USING THE SILICON NITRIDE BOARD
고강도 및 고열전도율의 질화 규소질 소결체로 이루어지는 질화 규소 기판 및 그 제조 방법과 그것을 사용한 질화 규소 회로 기판 및 반도체 모듈을 제공한다. β형 질화 규소의 결정 입자(11)와, 적어도 1종류의 희토류 원소(RE), 마그네슘(Mg) 및 규소(Si)를 함유하는 입계상으로 이루어지는 질화 규소 기판에서, 상기 입계상은 비정질상(12)과 MgSiN결정상(13)으로 이루어지고, 상기 희토류 원소(RE)를 함유한 결정상의 어느 결정면의 X선 회절선 피크 강도도 상기 β형 질화 규소의 결정 입자의 (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) 및 (002)의 회절선 피크 강도의 합의 0.0005배 미만이고, 상기 MgSiN결정상(13)의 (121)의 X선 회절 피크 강도가 상기 β형 질화 규소의 결정 입자의 (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) 및 (002)의 X선 회절 피크 강도의 합의 0.0005∼0.003배인 질화 규소질 소결체.
Provided are a silicon nitride substrate made of a silicon nitride sintered body that is high in strength and thermal conductivity, a method of producing the silicon nitride substrate, and a silicon nitride circuit substrate and a semiconductor module that use the silicon nitride substrate. According to the silicon nitride sintered body, in a silicon nitride substrate consisting of crystal grains 11 of ²-type silicon nitride and a grain boundary phase containing at least one type of rare earth element (RE), magnesium (Mg) and silicon (Si), the grain boundary phase consists of an amorphous phase 12 and a MgSiN 2 crystal phase 13; the X-ray diffraction peak intensity of any crystal plane of a crystal phase containing the rare earth element (RE) is less than 0.0005 times the sum of the diffraction peak intensities of (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) and (002) of the crystal grains of the ²-type silicon nitride; and the X-ray diffraction peak intensity of (121) of the MgSiN 2 crystal phase 13 is 0.0005 to 0.003 times the sum of the X-ray diffraction peak intensities of (110), (200), (101), (210), (201), (310), (320) and (002) of the crystal grains of the ²-type silicon nitride.
SILICON NITRIDE BOARD METHOD FOR MANUFACTURING THE SILICON NITRIDE BOARD AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR MODULE USING THE SILICON NITRIDE BOARD
질화 규소 기판 및 그 제조 방법과 그것을 사용한 질화 규소 회로 기판 및 반도체 모듈
05.01.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
| Europäisches Patentamt | 2019
| Europäisches Patentamt | 2024
Silicon Nitride Substrate And Silicon Nitride Circuit Board
| Europäisches Patentamt | 2021
| Europäisches Patentamt | 2021
SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
| Europäisches Patentamt | 2020